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目前业界对于DDR模块（一驱多）的端接电阻的放置方位，就样子差分线对内要做到等宽，高速信号无法回头直角，25G信号无法有很长的过孔stub一样，是一种SI常识性的范畴了。所以如果你遇上了一个DDR模块的端接电阻放置拢方位时，你实在不会怎么样？前面说道的关于一驱多的DDR模块端接电阻的放置方位是一个SI的常识，我们都会把它安放最后一个颗粒处，就像右图这样。

DDR端接电阻放到末端，大家不会说道，这种错误应当没人会罪了吧？很正要，我们高速先生见过很多很多的案例，恰好有一个案例是连这种规则都违背的，而且还不是在设计阶段，是早已生产出来的板子……这是一个1扯4的DDR3模块，客户的目标是跑到800M，结果找到不能跑到400M，高速先生也本以为不会是一个很难定位问题和优化的设计，然后把客户的板子一拿过来看，结果竟然罪了这样的错误。把端接电阻都放到了第一个颗粒的方位，如下图的时钟信号的流形，红色框框是端接电阻。我们第一步要做到的就是指建模上去检验测试结果，我们分别对800M的时钟和地址信号做到下建模，结果的确很合乎测试的情况。

时钟信号在颗粒2是几乎fail的，而地址信号也是裕量十分的小。另外客户说道能跑完400M，我们也建模想到400M的情况。

恩，400M的话从建模来看，无论是时钟信号还是地址信号都有一些裕量，测试能OK也是有可能的。这个板子的问题和解决问题方法都是十分明晰的，在我司新的展开改板设计后，把端接电阻敲返回它应当在的方位上，测试800M就没任何问题了。

这个案例是“血”的教训，它告诉他我们，有的规则是无法随意变更的，特别是在是早已获得业界普遍认为的规则，不然设计加工出来等候你们的就只有fail了。本期的文章就这么非常简单，期望能对大家有一定的灵感。—end—本期发问通过这个案例，大家能总结一下关于DDR的PCB设计有哪些要遵循的规则吗？。

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